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2013-05-23 12:21
求翻译:Manufacture of semiconductor device by forming upper transistor in region comprising forming back gate in or by doped layer, and forming lower transistor comprising forming source and drain regions in or by doped layer是什么意思? 待解决
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- 离问题结束还有
Manufacture of semiconductor device by forming upper transistor in region comprising forming back gate in or by doped layer, and forming lower transistor comprising forming source and drain regions in or by doped layer
问题补充: |
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2013-05-23 12:21:38
通过形成上晶体管中区包含或由掺杂层形成背栅,并且形成低晶体管,包括在或通过掺杂层形成源极和漏极区域制造半导体器件的
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2013-05-23 12:23:18
半导体装置制造通过在包括的区域形成上部晶体管形成后面门在或由被掺杂的层数和形成包括更低的晶体管形成来源和流失地区在或由被掺杂的层数
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2013-05-23 12:24:58
半导体装置制造通过在区域形成上部晶体管包括形成后面门在或由被掺杂的层数和形成更低的晶体管包括形成来源和流失地区在或由被掺杂的层数
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2013-05-23 12:26:38
通过形成区域组成成型背上部晶体管半导体器件的制造门中或通过掺杂的层,并形成更低的晶体管组成形成源和排水区域或以掺杂层
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2013-05-23 12:28:18
制造的半导体设备,形成在区域上晶体管组成中的一个栅栏门后形成的麻痹或图层,形成低晶体管组成形成源和排放区域或通过麻痹层
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