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2013-05-23 12:21
求翻译：Most of the circuits were realized using hybrid integrated thin film technology with chip components on alumina substrates. In some cases resistors were also realized using tantalum nitride thin film technology. The chips were mounted on the substrate with a conductive epoxy compound. Connections to the semiconductor c是什么意思？ 待解决
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Most of the circuits were realized using hybrid integrated thin film technology with chip components on alumina substrates. In some cases resistors were also realized using tantalum nitride thin film technology. The chips were mounted on the substrate with a conductive epoxy compound. Connections to the semiconductor c
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
大部分电路被使用，实现混合集成薄膜技术在氧化铝基板上的片状元件。在某些情况下，电阻器也被使用的氮化钽薄膜技术实现。芯片被安装在基片上具有导电性的环氧化合物。连接到半导体芯片组件进行了热压接。完全金的层状底表面用氧化铝基板。该底表面被用作地面平面。通过连接到地平面，形成了0.45毫米，超声钻孔插用金线。
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2013-05-23 12:23:18
大多电路体会使用杂种与芯片组分的集成薄膜技术在铝土基体。使用钽氮化物薄膜技术，有时电阻器也体会。芯片在与一个导电性环氧化合物的基体登上了。与半导体芯片组分的联系由热量压缩接合建立。完全地使用了与一张金子层状底面的铝土基体。这张底面使用了作为地面飞机。
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2013-05-23 12:24:58
大多电路使用杂种集成薄膜技术在铝土基体体会与芯片组分。 电阻器使用钽氮化物薄膜技术也在某些情况下体会。 芯片在基体登上了与一种导电性环氧化合物。 与半导体芯片组分的联系由热量压缩接合建立。 与一张金子层状底面完全地使用了铝土基体。 这张底面使用了作为地面飞机。 通过与地面飞机的连接由0.45毫米形成，超音波地操练了孔塞住与金导线。
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2013-05-23 12:26:38
大部分的电路实现了与氧化铝陶瓷基板上芯片组件使用混合集成薄膜技术。在某些情况下电阻也实现了使用氮化钽薄膜技术。芯片被装入导电环氧复合介质基片上。热压粘合作了半导体芯片组件的连接。氧化铝陶瓷基板与完全黄金层的底部表面使用了。这底部表面被用作地面飞机。通过与地平面的连接被形成了由 0.45 m m，超声钻好的孔，插入与金线。
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2013-05-23 12:28:18
大部分电路在氧化铝以芯片成分使用混合集成薄电影技术被意识到 substrates。在某些情况下，抵抗者也使用 tantalum 氮化物被意识到薄电影技术。芯片以一个导电环氧的复合词在 substrate 被登上。与半导体芯片组件的连接被结合的热压缩制作。氧化铝 substrates 具一个完全金色被用压条法培值的最后的表面被使用。这个最后的表面用作地飞机。通过与地飞机的连接被形成，在 0.45 毫米旁边，超声地被钻的孔插入拿着金电线。
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