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2013-05-23 12:21
求翻译：Fabrication of Zn1xMgxO films by atomic layer deposition (ALD) has been studied for use as buffer layers in Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)-based solar cell devices.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Fabrication of Zn1xMgxO films by atomic layer deposition (ALD) has been studied for use as buffer layers in Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)-based solar cell devices.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
制作的Zn1 xmgxo薄膜的原子层沉积（ALD）已经研究了在Cu（GA）作为缓冲层SE2（CIGS）太阳能电池设备。
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2013-05-23 12:23:18
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:24:58
生产Zn1 xMgxO影片由原子层数证言(ALD)在Cu (在， Ga)被学习了为使用当缓冲层数Se2 (CIGS) -基于太阳能电池设备。
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2013-05-23 12:26:38
Zn1xMgxO 薄膜的原子层沉积技术 (醛固酮) 的制作用于研究作为缓冲层铜 (中、 Ga） 基于 Se2 CIGS 太阳能电池设备。
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2013-05-23 12:28:18
Fabrication of Zn1xMgxO films by atomic layer deposition (ALD) has been studied for use as buffer layers in Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)-based solar cell devices.
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